Mobiliųjų procesorių segmento madas diktuojantis ir etaloninius produktus kuriantis gamintojas „Qualcomm“ pirmą kartą informacija apie produktyvią SoC sistemą, skirtą mobiliesiems įrenginiams – lustą „Snapdragon 820“ – pasidalino prieš kelis mėnesius. Tačiau žinios apie sparčiausiu procesoriumi rinkoje pretenduojančiu tapti lusto technines savybes nebuvo visiškai pilnos ir tik šiandien paaiškėjo visos detalės apie dabartinio flagmano „Snapdragon 810“ įpėdinį.
Naujasis lustas yra gaminamas taikant 14 nm gamybos technologiją FinFET, o jo pagrindą sudaro keturi 64 bitų branduoliai su 2.2 GHz dažniu, pagaminti remiantis „Kryo“ architektūra. Grafikos greitintuvo vaidmuo priskiriamas „Adreno 530“ valdikliui, kuris gali pasigirti OpenGL ES 3.1+AEP, OpenCL 2.0 ir Api Vulkan palaikymu. Skaitmeninio signalo apdorojimui numatytas „Hexagon DSP“, o vaizdų – „Spectra ISP“ koprocesorius, kurie sumažina pagrindinio procesoriaus apkrovą. Pastarasis palaiko iki 28 megapikselių raiškos kameras.
„Qualcomm“ tradiciškai įgyvendino greito įkrovimo funkciją, kuri palengvina gyvenimą greitai išsikraunančių šiuolaikinių išmaniųjų telefonų savininkams. 3.0 versijos „Quick Charge“ technologija leis įkrauti bateriją kelis kartus greičiau nei standartinė procedūra ir savo sparta kelis kartus viršys „Quick Charge 1.0“ bei 27 proc. „Quick Charge 2.0“.
Kitos svarbiausios „Snapdragon 820“ palaikomos technologijos:
- Didelės spartos judriojo ryšio tinklai LTE Cat 12 ir LTE Cat 13. X12 LTE modemo dėka atsisiuntimo greitis gali pasiekti 600 Mb/s, o išsiuntimo – 150 Mbit/s;
- Matricos su 3840 × 2160 pikselių rezoliucija;
- 4K H.265 vaizdo formato atkūrimas su 60 kadrų/s greičiu;
- VIVE 802.11ac ir 2×2 MU-MIMO pagerina Wi-Fi tinklų efektyvumą
- Dviejų kanalų 1866 MHz dažnio LPDDR4 atmintis;
- „Flash” atmintis eMMC 5.1 ir UFS 2.0;
- USB 3.0 standartas.
„Qualcomm“ atstovai patikino, kad „Snapdragon 810“ reputaciją suteršusi perkaitimo problema, lustui „Snapdragon 820“ bus neaktuali. Pirmi išmanieji telefonai su naujuoju procesoriumi turėtų pasirodyti pirmajame ateinančių metų ketvirtyje.