„Samsung“ pristatė 8 GB LPDDR4 RAM mikroschemas

„Samsung“ parodė pasauliui pirmuosius LPDDR4 tipo 8 GB talpos operatyviosios atminties lustus. Viename šios atminties luste yra keturi 16 Gbit tankio kristalai, pagaminti naudojant 10 nanometrų technologinį procesą. Gamintojas teigia, kad, palyginti su senesnės kartos 20 nm atmintimi, energijos sąnaudos sumažėjo, o prieinama talpa išaugo du kartus. Duomenų perdavimo greitis taip pat padvigubėjo ir dabar siekia 4266 Mbit/s. Šios savybės leidžia pasiekti didelį našumą apdorojant 4K turinį bei sustiprina dvigubų fotoaparatų potencialą išmaniuosiuose telefonuose. Be to, nauja plokštė turi vos 15x15x1 mm matmenis, kurie leis pagaminti plonesnius prietaisus.

Naujiena netolimoje ateityje pasirodys aukšto lygio išmaniuosiuose telefonuose. Atrodo, kad vienu iš pirmųjų (jei ne pirmuoju) taps „Galaxy S8“, kurio anonsas vyks kitų metų vasarį. 10 nm technologiją „Samsung“ taip pat naudoja gamindama naujos kartos procesoriams, kurių pasirodymo rinkoje tikimasi sulaukti kartu su flagmano „Galaxy S8“ pristatymu.