„Intel“ žada 10 terabaitų SSD naudojantį 3D V-NAND atmintį

3D V-NAND tipo Flash atmintis jau įrodė savo teisę į egzistavimą: ji ne tik suteikia didesnį pajėgumą, palyginti su tradiciniais MLC lustai, bet taip pat turi didelį patikimumą, skirtingai nuo liūdnai pagarsėjusio TLC. Atrodo, kad būtent 3D V NAND padarys proveržį prieinamų kietųjų diskų srityje su apimtimi panašia į tradicinių paskutinės kartos HDD. Tai yra apie 10 terabaitų talpą ir dar daugiau. Būtent tokią iniciatyvą pateikė Intel. Neseniai praėjusiame „Intel“ investuotojų susitikime paskelbta, kad antroje2015 pusėje bendra įmonė “Intel-Micron Flash Technologies” pradės masinę daugiasluoksnių 256 ir 384 GB talpos lustų gamybą.

Pastaruoju atveju bus naudojami trijų pakopų elementus. Trimatė naujų 3D-NAND lustų struktūra turės 32 kristalų sluoksnius, kurie yra sujungti vertikaliu specialių struktūrų masyvu, panašiu į tradicinį TSV (through silicon via). Atminties lusto su tokia talpa atėjimas nutiesti kelią į didžiulės talpos standžiųjų diskų kūrimą, kuris šiandien yra tiesiog neįmanomas.SSD

„Intel“ padalinio, užsiimančio energetiškai nepriklausoma atmintimi, viceprezidentas Robas Krukas (Rob Crooke) mano, kad per ateinančius dvejus metus, SSD talpa remiantis nauja technologija gali viršyti 10 terabaitų. Palyginimui, bendrovei „SanDisk“, panorėjusiai sukurti 4 TB talpos SSD įprastinių plokščių technologijų pagrindu, turėjo naudoti 64 velniškai brangius 512 eMLC (64 GB) lustus, kurių kiekvienas turi viename korpuse keturis 128 gigabitų talpos lustus. Šie lustai gaminami naudojant šiuolaikinę smulkią procesų technologiją, kuri padidina jų kainą, bet neprideda patikimumo.micron nand

O „trimačiai“ Intel-Micron 256 ir 384 gigabitų (32 ir 48 GB, atitinkamai) talpa lustai naudoja didesnes ir daug pigesnes procesų technologijas, ir tuo pačiu metu – ir labiau patikimas. Deja, apie tai, koks tiksliai tai procesas, „Intel“ iki šiol tyli. Tačiau veikiantys SSD prototipai pagrįsti 256 Gigabitų „trimačiais“ lustais, jau egzistuoja ir vienas iš jų buvo parodytas anksčiau minėtame renginyje. Reikia pažymėti, kad „Samsung“ taip pat aktyviai gamina „trimatę” flash atmintį: jų 128 gigabitų lustai turi 24 ar 32 sluoksnius ir naudoja neįprastai dideles, pagal šiandienos standartus, technologijų normas – 42 nanometrų. Šių mikroschemų „matoma talpa“ yra 86 Gbit. Atrodo, „Samsung“ elgiasi atsargiai, norėdami išvengti bet kokia kaina hipotetinių problemų, susijusių su nauja technologija. Atsižvelgiant į tai, Intel-Micron projektą, kuris prasideda iš karto su 256 gigabitų talpa, atrodo daug ambicingesnis, bet ir galutinio produkto kaina su šiuo požiūriu bus daug mažesnė. O iš to, žinoma, laimės ir galutiniai vartotojai.

Bet net jei nauji „Intel“ lustai turės geriausią kainos ir talpos santykį, aljansui Intel Micron gamybos galimybės neleidžia kalbėti apie rimtą poveikį NAND rinkai. Pagal ChinaFlashMarket.com duomenis, aljanso IMFT gamykla gali pagaminti apie 70 000 300mm plokštelių per mėnesį, ir į šią sumą įeina skirtingų tipų atmintis. Naudojant IMFT ir MTV gali suteikti dar 80 ir 40 tūkstančių 300mm plokštelių per mėnesį, tačiau to negalima net lyginti su turimais „Samsung“ pajėgumais. Tik vienas iš Pietų Korėjos milžinės fabrikų, specialiai pastatytų naujų tipų atminčiai gaminti, gali išleisti 100 000 plokštelių per mėnesį, o likusios Samsung gamyklos, tinkančios šiam tikslui, gamybos pajėgumai leidžia pateikti daugiau nei 400 tūkstančius plokštelių per tą patį laiką.intel pcie ssd

Kitaip tariant, nauji daugiasluoksniai „Intel“ flash atminties lustai, ko gero, nesukels masinęs revoliucijos SSD rinkoje apskritai, tačiau jie talpius modelis padarys labiau prieinamus naudotojams ir leis įmonei stiprinti savo pozicijas mikro elektronikos pramonėje. Tikimasi, kad bendros „Intel“ padalinio, užsiimančio NAND Flash gamyba ir kietųjų diskų pardavimu, pajamos besibaigiančiais 2014 metais bus maždaug 2 milijardų JAV dolerių, o naujų 256 gigabitų talpos daugiasluoksnio lustas atsiradimas padidins šį skaičių artimiausiais metais.

Šioje svetainėje naudojami slapukai (angl. cookies). Jei tam neprieštaraujate, paspauskite mygtuką „Sutinku“ arba naršykite toliau. Sutikimą bet kada galėsite atšaukti interneto naršyklėje ištrindami įrašytus slapukus. Sutinku Sužinoti daugiau