Hewlett-Packard ir SanDisk kuria naują atminties tipą

„Hewlett-Packard“ ir „SanDisk“ paskelbė apie ilgalaikius planus kartu kuriant energetiškai nepriklausomos atminties kaupiklius, kurių efektyvumas ir patikimumas daug kartų viršytų NAND Flash galimybes. Šiuo metu technologijos detalės dar nėra paskelbtos, tačiau, matyt, yra kuriamas labai pažangus konkurentas, „Intel“ ir „Micron“ sukurtai, „3D XPoint“ atminčiai.

HP ir SanDisk energetiškai nepriklausomos atminties kūrime nėra naujokai. Abi įmonės seniai dirba su rezistyvine atmintimi ReRAM ir kartu su „SK Hynix“ ir „Toshiba“ ketino išleisti komercinius šio tipo produktus, bet planų įgyvendinti neįstengė. Tačiau visas įdirbis nenueis veltui, nes jis dabar bus panaudotas kuriant naują technologiją, kuri pavadinta kaupiklių klasės atmintimi (storage class memory, SCM).

Šiuo metu, „Hewlett-Packard” ir „SanDisk“ neatskleidžia informacijos apie SCM technologiją, bet jie tikina, kad ji bus 1000 kartų greitesnė ir 1000 kartų atsparesnė nusidėvėjimui nei NAND Flash. Be to kaupiklių atmintis bus talpesnė, pigesnė ir ekonomiškesnė už dinaminę operatyviąją atmintį (dynamic random access memory, DRAM). Kūrėjai kalba apie dešimties terabaitų SCM įrengimą viename serveryje, kurią galėtų naudoti realaus laiko analitikos programos, superkompiuteriai, taip pat operatyviojoje atmintyje esančios duomenų bazės (in-memory databases). SCM kaupikliai galėtų būti tarpine grandimi tarp operatyviosios atminties ir kietųjų diskų, užtikrindami balansą tarp našumo ir reikalingos talpos.

Partneriai nenurodė SCM atsiradimo rinkoje laiko, tačiau akivaizdu, kad tokių projektų vystymasis užtrunka ne vienus metus. Be to, šiuo metu dar nėra sąsajų, galinčių užtikrinti tokios spartos duomenų perdavimą, todėl būtinas ir visos srities vystymasis. Kai kurie analitikai mano, kad naujosios atminties privalumų prireiks tik po 2020 metų.