Atskleisti pavyzdinės mikroschemos Qualcomm Snapdragon 810 darbo dažniai

Tikimasi kad 2015 metais daugelis aukščiausio lygio išmaniųjų telefonų turės įdiegtą procesorių Qualcomm Snapdragon 810, kurios bandomieji pristatymai prasidėjo rugsėjo pabaigoje. Tuo metu apie mikroschemos darbinį dažnį dar nieko nebuvo žinoma. Dabar ši žinių spraga panaikinta.

Snapdragon 810 vienakristalė sistema sukurta pagal „4+4“ formulę. Procesorius turi keturis produktyvius 64 bitų ARM Cortex-A57 branduolius ir tokį pat kiekį energiją taupančių Cortex-A53 branduolių. Mikroschema yra pagaminta pagal 20 nanometrų technologiją.

Kaip pranešama, galingi Core Cortex-A57 branduoliai veikia iki 1958 MHz (1.96 GHz) dažniu, o Cortex-A53 dažnis pasiekia 1555 MHz (1.56 GHz). Reikia pažymėti, kad tai nėra didžiausias skaičius Qualcomm sprendimuose, pavyzdžiui, produktas Snapdragon 805 veikia 2,65 GHz dažniu. Tačiau ši mikroschema turi ne aštuonis, ir keturis branduolius (Krait 450).

Kitos Snapdragon 810 savybės yra: integruotas Adreno 430 valdiklis palaikantis 4K raišką, modemas Qualcomm Cat 6 LTE Advanced (ryšio greitis mobiliuosiuose tinkluose – iki 300 Mb/s), atminties LPDDR4 palaikymas, belaidis ryšys Bluetooth 4.1 ir NFC, USB 3.0 sąsaja ir Qualcomm IZat technologija.